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雪糕乐园 » 硬件 » 内存基本知识大全2

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雪糕先生

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内存基本知识大全2

对于由软件故障造成的内存出错，可按下列步骤检查和处理：
　　
　　1.如果是在DOS环境下运行应用程序时报“内存出错”，则怀疑是否是内存分配出错，检查DOS与运行的应用程序是否冲突，并作出相应的处理。一般可通过重新启动系统或重新编写系统配置文件来解决，对应用程序的问题则可通过相应的修改来解决。
　　
　　2.如果是在Windows环境下运行应用程序时报“内存出错”，则怀疑是否是由应用程序非法访问存储器造成的，一般可通过清除内存驻留程序，减少活动窗口，调整配置程序或重新安装系统和应用程序来解决。
　　
　　3.如果问题只是在运行一特殊的应用程序才出现，可能是由该软件造成的。
　
　　4.用KILL或KV300＋检测系统是否带有病毒，有则杀毒。　
　
　　硬件故障造成的内存出错比较常见，CMOS设置错误、内存条接触不良、内存条安装组合错误、内存条硬件损坏、内存控制器出错等均会造成内存出错，一般可按下列步骤检查和处理：

　　1.由于开机自检即显示“内存出错”，首先进入CMOS设置，检查CMOS中关于内存条的参数设置是否正确，是否与内存条的配置情况相符；比如，如果设置的内存读写周期或内存读写等待时间小于内存条实际值，则应增大内存读写周期或者增加内存读写等待时间。　　

　　2.如果故障仍存在，检查内存条与内存插座槽之间接触是否良好，并作出相应的处理。　
　
　　3.如果故障仍未排除，检查内存条的安装组合是否正确。一般主板的存储器安装插座分为几个体(Bank)，每个体中有二至四个存储器安装插座，可安装二至四个存储器条。由于72线的内存条一次可以提供32位有效数据（30线内存条已淘汰，在此不予讨论），对于Pentium类CPU，其数据线为64位，要一次能存取64位数据，就必须同时安装两个72线内存条，所以586级微机的主机板，一般必须按偶数安装72线内存条，即一次应安装2条或4条72线SIMM存储器条。如果主板上的内存条插座是168线的，由于168线的内存条一次就可以提供64位有效数据，所以只安装一条也能正常工作。安装内存条时应注意以下几点:对大多数PC机来说,不能在同一个Bank内将容量不同的SIMM条混插在一起。很多PC机都可安装不同容量的SIMM条，但装在同一组Bank中的所有SIMM条必须具有相同的容量。　　．对于很多PC机来说，若把不同速度的SIMM条混插在一起，即使它们的容量相同，也会带来麻烦。例如，计算机中已有运行速度为60ns(纳秒)的16MB内存，如果在主板的空闲内存槽中再插入速度为70ns的SIMM条，系统就有可能会拒绝引导或在启动后不久就陷于崩溃。对于某些微机来说，若把速度低的SIMM条放至第一组，则可解决速度混合问题，计算机会按最低速度存取。　　．对于大多数PC机来说，必须将一组中的所有插槽都插满，或者将一组全部置空(当然第一组不行)，在一组插槽中不能只插一部分内存条。　　．PC机可接受的内存大小有一个上限(最大值可从PC机说明书中找到。若没有说明书，唯一的方法就是从实践中找到最大值了)。SDRAM是新一代的动态存储器，又称为同步动态存储器或同步DRAM。虽然有不少主板支持SDRAM与EDO内存混合安装，但是最好还是不要混用。原因是SDRAM只能在3.3V电压下工作，而EDO内存则多数在5V电压下工作。虽然主机板上对DIMM和SIMM分别供电，但它们的数据线总是要连在一起的，如果SIMM(72线内存)与DIMM(168线SDRAM)混用，尽管开始系统可以正常工作，但在使用一段时间后，可能会造成SDRAM的数据输入端被损坏。当然，如果你的SDRAM是适合宽电压(3V～5V)工作的产品，就不会出现这种损坏情况。
4.如果故障还未解决，则用替换法检查内存条是否已损坏，并作出相应的处理。

　　5.如果以上措施均不能奏效，则怀疑主板或控制芯片有问题，可送专业人员检修
内存故障是电脑故障中最常见的一种，而且大多表现各异，不是很好检查排除。前段时间遇到了一些由于内存引起的电脑故障，现在把解决的过程写出来，供大家参考。

　　故障一

　　故障表现：一台电脑配置为赛扬1.7GHz、845D主板、两条128M DDR内存，但是开机显示内存显示128M，偶尔显示256M。

　　故障分析：打开机箱检查，发现两条内存品牌不同，做工设计也有很大差异，一问机主原来是刚升级增加了一条内存。因此先把内存条单独插到机子上试，都显示为128M，没有问题，但是一起插上仍然显示128M，调换了内存的插槽也没用。很明显，内存兼容问题暴露出来了，让他拿旧内存去市场加差价换回一条和第一次升级内存相同的内存条，故障排除。

　　维修心得：内存的兼容问题虽然不是很多，但是危害还是不小，因为它们往往有很多奇怪的表现，大家还是尽量避免不同型号的内存混用，这样能最大限度避免兼容问题的发生。

　　故障二

　　故障表现：一台电脑配置为KT133主板、Geforce4 MX440显卡、128M内存，装Windows XP频繁死机，始终无法正常安装。

　　故障分析：经询问，机主之前刚给电脑进行了除尘，之后发生了系统崩溃，然后就无法装系统了。经过对硬件的仔细察看，发现其内存上有一处不是很明显的硬划伤，伤及了部分PCB上的电路，看来问题也出在这里。经过换用其他内存，故障消失，看来原内存已经被彻底损坏。

　　维修心得：装机器或者除尘的时候，一定要注意不要给硬件造成损伤，像这样无意中损坏配件的事情，小心一点是完全可以避免的。

　　故障三

　　故障表现：电脑配置为815EP主板、128MB内存，原本使用正常，后来得到一条64MB内存，一起插上之后，内存总量只认出是64MB。

　　分析解决：首先将内存一条一条单独插到主板上，证实都是好的，可以排除内存条的质量问题，看来兼容问题再次出现。不过这次用换内存的方法不是很现实，毕竟白来的64M内存小了点，换128M内存也需要不少花销。忽然想起升级主板BIOS可能会对内存支持有所提高，于是顺便把BIOS进行了购买以来的第一次升级，故障终于排除。

　　维修心得：很多时候兼容问题可以通过升级主板BIOS解决，因此经常去看看有没有适合自己的BIOS、驱动下载也是不能忘记的。

　　故障四

　　故障表现：一台电脑配置为赛扬667MHz、BX芯片组主板、现代128M SDRAM，一天突然开机黑屏，蜂鸣器报警。

　　故障分析：由主板发出的报警声可以判断，极有可能是内存或者内存插槽有问题。先把内存条拔下换个插槽，故障依旧，看来内存插槽正常；接着换另外一条内存插上，故障消失。看来是内存条有问题，但内存条无故坏的可能性很小，于是仔细察看内存，发现金手指部分有厚厚的污垢，看来问题在于接触不良。于是找来橡皮在金手指部分擦拭几次，重新插入插槽，发现一切正常了。

　　维修心得：内存金手指和插槽接触是否良好，对于工作是否稳定非常重要。如果出现类似接触不良，我们只需要用橡皮擦拭即可，非常简单，因此电脑的防尘还是有必要强调的。

　　故障五

　　表现：朋友本来想扩充内存，结果容量反而变小了。

　　故障分析：朋友不知从哪里弄来了四根相同容量和型号的内存，把四个内存插槽全部插满了。查看一下说明书，四条内存条的总容量并没有超过主板的最大内存容量支持，看来是主板BANK支持的问题，果然经过测试，上三条内存显示都正常，一旦用了四条内存，总容量反而会显示为一条内存容量，换内存的方式暂时行不通，还是去掉一跟内存吧。

　　维修心得：主板所支持的BANK数量大家应该多注意，并不是说主板有四个插槽就能支持四条内存的，还必须要看内存BANK数同主板支持数。而且，除了为支持双通道而采用两条内存外，还是建议大家使用单条大容量内存
故障一：给电脑添加一条PC133内存以后（原内存为PC100内存），运行时频繁死机和热启。

分析与解决：这种情况一般是由于添加的内存与原有内存之间，品牌，速度，容量都不同或某些不同，解决方法可以采用“就低”原则，进入CMOS，在Advanced Chipest Features中看到DRAM Timing By SPD被设置成Enable，将其修改为Disable。然后把DRAM Clock改为100MHz.重新启动计算机，故障解决。如若还不行，可以试试更换内存的插槽，一般要将速度较快的内存插在第一个插槽上。假如以上方法都失败，建议在纯DOS下对主板的BIOS进行更新，一般问题都可以解决。

故障二：开机时系统自检要检验3遍才能通过。现象为：每次检验完毕马上从头开始检测，数次后才能通过。

分析与解决：遇到以上问题，通常是因为CMOS中的内存自检次数设置不当。只需进入CMOS中把“Quick boot”（快速启动）设为“Enable”（允许），以后开机自检就只会检测一遍内存了。

故障三：一台电脑采用KT133主板，使用普通HY PC133 128内存，在Windows下出现频繁死机的非法操作。

分析与解决：原因是用户将BIOS进行优化，是内存工作处于最优设置下，可质量不过硬的内存在这种环境下，往往不稳定。进入CMOS,在Advance Chipest Features中将SDRAM Cycle Length由2改为3，Bank InterLeave由4Bank 改为Disable。问题解决！

故障四：机器无法进入Win98，现象为进入系统后立即自动关机。用安全模式启动，读取Himem.sys后提示“Error：Himem.sys has delected unreliable XMS memory at address XXXXX……”

分析与解决：根据提示信息，问题应该与主板或内存有关。由于提示表面在启动Himem.sys文件是内存出错，所以一般先应从内存上找出问题。此时可以试试以下方法：（1）、将BIOS中的参数设为保守方式，最简单的方法就是使用缺省的BIOS参数。（2）、可以尝试使用放电方式清除CMOS存储器中的信息。假如以上方法均不行，建议将主板送维修点或直接更换。

故障五：HY 128MB内存，运行Win98正常，但是升级安装Win2000之后，经常发生中断，退回DOS状态，有时能完成安装，但运行不稳定。

分析与解决：光盘没有问题，将内存换成King Max128后，非常顺利，也十分稳定。Win NT/Win 2000对硬件要求比较高，安装时对硬件检测严格，想用Win2000/NT，最好用高质量，大容量的内存。

故障六：开机后机器无法点亮，且伴有一长三短的报警声

分析与解决：根据一长三短的报警声可初步判断是内存校验出错。可在关机后打开机箱，看内存条是否存在松动现象。此外，假如内存条上的金手指有老化现象，可用微湿的干净毛巾轻轻擦拭。最后再将其插会原插槽中。问题一般都可解决。当然，要注意以上步骤都要保证将所有插座电源均关闭后才能进行，否则容易造成配件短路烧毁
故障一：由于使用劣质内存导致无法正常安装系统。
　　朋友的一台老机器需要重装系统，请笔者去帮忙。配置为：微星6340主板，毒龙650，PC-133远瀚128M内存，杂牌TNT2显卡，WD20G硬盘。用ghost软件克隆，7分钟多一点就完成了。朋友觉得一些软件版本太旧，一些软件根本没用，就要求重做一个镜像文件。格式化C盘后，用安装光盘重装Windows。即将完成时，系统突然提示无法复制文件，安装失败。更换安装光盘后，依旧在原处卡住。

　　无奈之下，用ghost克隆一个系统，再用各种测试软件检测。首先使用3Dmark2000测试，通过测试，一切正常。再用Goldmemory（GM）测试内存，在约80%处，软件报错，提示退出。找来一根现代64M内存再次重装系统，故障排除。

　　经仔细观察，发现此根远瀚内存有一颗内存颗粒与PCB板的一个焊点有极细微断裂，如不用心观察，根本无法识别。朋友为了节省时间，一直使用ghost克隆软件安装系统，故障长期隐而未发。等到发现，已过质保期，除自认倒霉外别无他法。事后分析认为，此故障是由于使用质量不过关的内存，一颗内存颗粒长期处于接触不良，时好时坏的状态所造成的。又由于ghost克隆软件是一种可以强行将数据写入硬盘的软件，故障未被发现。因此，笔者建议各位朋友在购机时，记得多用几种测试软件测试，以免最后追悔莫急。

故障二：由于使用曾损坏的内存导致无法安装系统。

　　笔者一昔日同窗，购机数年，一直使用正常。日前突然来电说系统崩溃，需要重装系统。配置为：华硕P2L97，PII233超262，两条现代32M内存，小影霸Riva128ZX显卡，启亨呛红辣椒声卡，昆腾4.3G硬盘。笔者赶到后，首先将CPU降回初始频率，再格式化硬盘，最后安装系统。

　　安装进行中，系统提示地址错误，安装终止。拆下内存检查，发现其中一条的金手指早已经被烧的面目全非，在少掉的地方被人用焊锡点了两个点权充作金手指用，从痕迹上来看，应该是很久远的事情了，而且此人的焊工极差，应付了事。笔者的朋友对电脑硬件基本上不懂原理，如何能做这样的事情呢？唯一的结论是买机器时被商家给坑了，以次充好。然而，这条内存竟然奇迹般的用了那么久才出问题，实在让人很困惑。

　　时值内存涨价，同窗好友因此而大出血。事后回想，电脑硬件是精密产品，虽然在出现大的问题后可以通过一定的技术手段加以修理，但是限于个人的条件和能力，一般不可能将损坏的元件修复如新。故笔者再次提醒各位朋友，购机时千万注意仔细验货，以免被一些不法商家偷梁换柱，以次充好。

故障三：由于使用与主板不兼容的内存导致CMOS初始化失败，无法开机。

　　一日，一熟人来电求助，说买了两个多月的机器突然出了问题，无法启动。他的配置为：微星K7Tpro，雷鸟750， PC150KingMax128M，耕升Geforce2MX黄金版，IBM腾龙二代30G，世纪之星银版电源。打开机箱后开机，发现主板上的四个D-LED指示灯全部为红色。根据主板说明书，此时代表CMOS初始化失败或CPU自检失败。

　　由于AMD的K7系列CPU核心极为脆弱，因风扇扣具过紧，安装不当造成的CPU损坏多的不胜枚举。笔者将CPU取下后仔细观察，未发现有损坏。安装好风扇后再次开机，故障依旧。至此，笔者认为是主板的BIOS损坏，但并不死心，随之将显卡、内存统统卸下，想确认一下。开机后，主机PC喇叭发出长音报警，提示内存检测失败。观察后发现，第二个D-LED指示灯变为绿色。关机，插上KingMax内存。随后开机，D-LED指示灯全红。找来一条现代128M内存插上机器，故障排除。元凶就是那条KingMax PC150 128M内存，PCB版本1.1。

　　后经过查询，得知此版本的内存条兼容性较差，尤其是在与KT133的主板搭配使用时，出现不兼容的机率更高。这是一例由个体差异引起的不兼容现象，但是互不兼容的现象直到使用了两个多月后才出现，在此之前一切正常，这样的情况实属少见。最后的解决方案是商家退回差价，换回一根PC133的KingMax内存条。所以各位朋友在购机时请充分了解自己的需要，不要轻易相信商家的推荐，这样才能保证自己的机器少出问题

根据内存条所应用的主机不同，内存产品也各自不同的特点。台式机内存是DIY市场内最为普遍的内存，价格也相对便宜。笔记本内存则对尺寸、稳定性、散热性方面有一定的要求，价格要高于台式机内存。而应用于服务器的内存则对稳定性以及内存纠错功能要求严格，同样稳定性也是着重强调的。

台式机内存
　　笔记本内存就是应用于笔记本电脑的内存产品，笔记本内存只是使用的环境与台式机内存不同，在工作原理方面并没有什么区别。只是因为笔记本电脑对内存的稳定性、体积、散热性方面的需求，笔记本内存在这几方面要优于台式机内存，价格方面也要高于台式机内存。

笔记本内存
　　笔记本诞生于台式机的486年代，在那个时代的笔记本电脑，所采用的内存各不相同，各种品牌的机型使用的内存千奇百怪，甚至同一机型的不同批次也有不同的内存，规格极其复杂，有的机器甚至使用PCMICA闪存卡来做内存。进入到台式机的586时代，笔记本厂商开始推广72针的SO DIMM标准笔记本内存，而市场上还同时存在着多种规格的笔记本内存，诸如：72针5伏的FPM；72针5伏的EDO；72针3.3伏的FPM；72针3.3伏的EDO。此几种类型的笔记本内存都已成为“古董”级的宝贝，早已在市场内消失了。在进入到“奔腾”时代，144针的3.3伏的EDO标准笔记本内存。在往后随着台式机内存中SDRAM的普及，笔记本内存也出现了144针的SDRAM。现在DDR的笔记本内存也在市面中较为普遍了，而在一些轻薄笔记本内，还有些机型使用与普通机型不同的Micro DIMM接口内存。
　　对于多数的笔记本电脑都并没有配备单独的显存，而是采用内存共享的形式，内存要同时负担内存和显存的存储作用，因此内存对于笔记本电脑性能的影响很大。

服务器内存
　　服务器是企业信息系统的核心，因此对内存的可靠性非常敏感。服务器上运行着企业的关键业务，内存错误可能造成服务器错误并使数据永久丢失。因此服务器内存在可靠性方面的要求很高，所以服务器内存大多都带有Buffer（缓存器），Register（寄存器），ECC（错误纠正代码），以保证把错误发生可能性降到最低。服务器内存具有普通PC内存所不具备的高性能、高兼容性和高可靠性

　　内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前市面上已推出的内存产品中最高能达到560MHz的主频，而较为主流的是333MHz和400MHz的DDR内存。
　　大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。
　　一般情况下内存的工作频率是和主板的外频相一致的，通过主板的调节CPU的外频也就调整了内存的实际工作频率。内存工作时有两种工作模式，一种是同步工作模式，此模式下内存的实际工作频率与CPU外频一致，这是大部分主板所采用的默认内存工作模式。另外一种是异步工作模式，这样允许内存的工作频率与CPU外频可存在一定差异，它可以让内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz，又或者让内存和外频以3：4、4：5等，定比例的频率上。利用异步工作模式技术就可以避免以往超频而导致的内存瓶颈问题。
　　举个例子：一块845E的主板最大只能支持DDR266内存，其主频是266MHz，这是DDR内存的等效频率，其实际工作频率是133MHz。在正常情况下（不进行超频），该主板上内存工作频率最高可以设置到DDR266的模式。但如果主板支持内存异步功能，那么就可以采用内存、外频频率以5：4的比例模式下工作，这样内存的工作频率就可以达到166MHz，此时主板就可以支持DDR333（等效频率333MHz，实际频率166MHz）了。
　　目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能

　　传输类型指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。
? SDRAM
? DDR
? RDRAM
? DDR2

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
　　SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
　　与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
　　从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准

DDR2

DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

接口类型

　　接口类型是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的，金手指上的导电触片也习惯称为针脚数（Pin）。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。对应于内存所采用的不同的针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。
金手指
　　金手指（connecting finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。

内存金手指
　　内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。
内存插槽
　　最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP芯片有个最大的问题就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。
　　早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板，此种方法付出的代价较大，也极为不方便。
　　对于内存存储器，大多数现代的系统都已采用单内联内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双内联内存模块（Dual Inline Memory，DIMM）来替代单个内存芯片。这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。

DIMM与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
不同针脚DIMM接口对比
　　为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。此外笔记本内存还有MicroDIMM和Mini Registered DIMM两种接口。MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；Mini Registered DIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。
　　RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也184 Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格，此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。
RDRAM内存
内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。内存容量以MB作为单位，可以简写为M。内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，内存容量越大越有利于系统的运行。目前台式机中主流采用的内存容量为256MB或512MB，64MB、128MB的内存已较少采用。
系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（比特，也称“位”）。按照计算机的二进制方式，1Byte=8bit；1KB=1024Byte；1MB=1024KB；1GB=1024MB；1TB=1024GB。
系统中内存的数量等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和，内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定。不同主板芯片组可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存，多余的部分无法识别。目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存。此外主板内存插槽的数量也会对内存容量造成限制，比如使用128MB一条的内存，主板由两个内存插槽，最高可以使用256MB内存。因此在选择内存时要考虑主板内存插槽数量，并且可能需要考虑将来有升级的余地。

内存电压
　　内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3.3伏、DDR SDRAM内存2.5伏、DDR2 SDRAM内存1.8伏的基本要求，在允许的范围内浮动。

颗粒封装

　　颗粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。
　　随着光电、微电制造工艺技术的飞速发展，电子产品始终在朝着更小、更轻、更便宜的方向发展，因此芯片元件的封装形式也不断得到改进。芯片的封装技术多种多样，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，种类不下三十种，经历了从DIP、TSOP到BGA的发展历程。芯片的封装技术已经历了几代的变革，性能日益先进，芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便。
? DIP封装
? TSOP封装
? BGA封装
? CSP封装

DIP封装

　　上个世纪的70年代，芯片封装基本都采用DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合PCB（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点。DIP封装的结构形式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。但DIP封装形式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为1：1.86，这样封装产品的面积较大，内存条PCB板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最好的，但这是无法实现的，除非不进行封装，但随着封装技术的发展，这个比值日益接近，现在已经有了1：1.14的内存封装技术。

TSOP封装

　　到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术TSOP出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。
TSOP封装内存
　　TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。
ＢGA封装
　　20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
　　采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装内存
　　BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
　　说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
TinyBGA封装内存
　　采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
　　TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。

CSP（Chip Scale Package），是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。
CSP封装内存
　　CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。
　　CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。
传输标准
　　内存是计算机内部最为关键的部件之一，其有很严格的制造要求。而其中的传输标准则代表着对内存速度方面的标准。不同类型的内存，无论是SDRAM、DDR SDRAM，还是RDRAM都有不同的规格，每种规格的内存在速度上是各不相同的。传输标准是内存的规范，只有完全符合该规范才能说该内存采用了此传输标准。比如说传输标准PC3200内存，代表着此内存为工作频率200MHz，等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。
　　传输标准术购买内存的首要选择条件之一，它代表着该内存的速度。目前市场中所有的内存传输标准有SDRAM的PC100、PC133；DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066等。
? SDRAM传输标准
? DDR传输标准
? DDR2传输标准
? RDRAM传输标准
SDRAM传输标准
PC100
　　PC100是由JEDEC和英特尔共同制订的一个SDRAM内存条的标准，符合该标准的内存都称为PC100，其中的100代表该内存工作频率可达100MHz。JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。大多数人认为的PC100内存，就是该内存能正常工作在前端总线（FSB）100MHz的系统中。其实PC100是一组很严格的规范，它包含有：内存时钟周期，在100MHZ外频工作时值为10ns；存取时间小于6ns；PCB必须为六层板；内存上必须有SPD等多方面的规定。
　　PC100中还详细的规定了，内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板等等。由此可见传输标准是一套相当复杂的内存标准，但具体的内存规范定义，我们没有必要去详细了解，只要了解内存符合这个规范，那么它的数据传输能到达多大，它所能提供的性能怎么样那就足够了。
　　从性能的角度来说，PC100的内存在主板设置在100MHZ外频，且在主板的BIOS选项中CL设置为2，此内存可以稳定的工作。
PC133
　　PC133是威盛公司联合了三星、现代、日立、西门子、Micron和NEC等数家著名IT厂商联合推出的内存标准，其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。PC133 SDRAM的数据传输速率可以达到1.06GB/s。
　　严格地说，PC133和PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同，区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序，把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来，焊接成高档一些的内存。

DDR传输标准
　　PC1600如果按照传统习惯传输标准的命名，PC1600（DDR200）应该是PC200。在当时DDR内存正在与RDRAM内存进行下一代内存标准之争，此时的RDRAM按照频率命名应该叫PC600和PC800。这样对于不是很了解的人来说，自然会认为PC200远远落后于PC600，而JEDEC基于市场竞争的考虑，将DDR内存的命名规范进行了调整。传统习惯是按照内存工作频率来命名，而DDR内存则以内存传输速率命名。因此才有了今天的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500等。
　　PC1600的实际工作频率是100 MHz，而等效工作频率是200 MHz，那么它的数据传输率就为“数据传输率＝频率*每次传输的数据位数”，就是200MHz*64bit=12800Mb/s，再除以8就换算为MB为单位，就是1600MB/s，从而命名为PC1600。

DDR2传输标准
　　DDR2可以看作是DDR技术标准的一种升级和扩展：DDR的核心频率与时钟频率相等，但数据频率为时钟频率的两倍，也就是说在一个时钟周期内必须传输两次数据。而DDR2采用“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，核心频率仅为时钟频率的一半、时钟频率再为数据频率的一半，这样即使核心频率还在200MHz，DDR2内存的数据频率也能达到800MHz—也就是所谓的DDR2 800。
　　目前，已有的标准DDR2内存分为DDR2 400和DDR2 533，今后还会有DDR2 667和DDR2 800，其核心频率分别为100MHz、133MHz、166MHz和200MHz，其总线频率(时钟频率)分别为200MHz、266MHz、333MHz和400MHz，等效的数据传输频率分别为400MHz、533MHz、667MHz和800MHz，其对应的内存传输带宽分别为3.2GB/sec、4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec，按照其内存传输带宽分别标注为PC2 3200、PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。
RDRAM传输标准
PC600
　　RDRAM仍旧采用习惯的内存频率来命名。PC600的工作频率为300 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为600 MHz，所以命名为PC600。
PC800
　　PC800的工作频率为400 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为800 MHz，所以命名为PC800。
PC1066
　　PC1066的工作频率为533 MHz，而其也是时钟上升期和下降期都传输数据，因此其等效频率为1066 MHz，所以命名为PC1066。
　　内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
　　在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
　　上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执行周期。RAS-to-CAS的时间则视技术而定，大约是5到7个周期，这也是延迟的基本因素。
　　CL设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC）。首先来了解一下存取时间（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的缩写，是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tAC）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。
　　举个例子来计算一下总延迟时间，比如一条DDR333内存其存取时间为6ns，其内存时钟周期为6ns（DDR内存时钟周期＝1X2/内存频率，DDR333内存频率为333，则可计算出其时钟周期为6ns）。我们在主板的BIOS中将其CL设置为2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。
　　从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。所以对系统要求高和喜欢超频的用户通常喜欢购买CL值较低的内存。目前各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DDR的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低CAS延迟时间来提高内存性能。不同类型内存的典型CL值并不相同，例如目前典型DDR的CL值为2.5或者2，而大部分DDR2 533的延迟参数都是4或者5，少量高端DDR2的CL值可以达到3。
　　不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。
　　选择购买内存时，最好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费

ECC校验
　　ECC内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误，纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定。
　　内存是一种电子器件，在其工作过程中难免会出现错误，而对于稳定性要求高的用户来说，内存错误可能会引起致命性的问题。内存错误根据其原因还可分为硬错误和软错误。硬件错误是由于硬件的损害或缺陷造成的，因此数据总是不正确，此类错误是无法纠正的；软错误是随机出现的，例如在内存附近突然出现电子干扰等因素都可能造成内存软错误的发生。
　　为了能检测和纠正内存软错误，首先出现的是内存“奇偶校验”。内存中最小的单位是比特，也称为“位”，位有只有两种状态分别以1和0来标示，每8个连续的比特叫做一个字节（byte）。不带奇偶校验的内存每个字节只有8位，如果其某一位存储了错误的值，就会导致其存储的相应数据发生变化，进而导致应用程序发生错误。而奇偶校验就是在每一字节（8位）之外又增加了一位作为错误检测位。在某字节中存储数据之后，在其8个位上存储的数据是固定的，因为位只能有两种状态1或0，假设存储的数据用位标示为1、1、1、0、0、1、0、1，那么把每个位相加（1＋1＋1＋0＋0＋1＋0＋1＝5），结果是奇数。对于偶校验，校验位就定义为1，反之则为0；对于奇校验，则相反。当CPU读取存储的数据时，它会再次把前8位中存储的数据相加，计算结果是否与校验位相一致。从而一定程度上能检测出内存错误，奇偶校验只能检测出错误而无法对其进行修正，同时虽然双位同时发生错误的概率相当低，但奇偶校验却无法检测出双位错误。
　　ECC（Error Checking and Correcting，错误检查和纠正）内存，它同样也是在数据位上额外的位存储一个用数据加密的代码。当数据被写入内存，相应的ECC代码与此同时也被保存下来。当重新读回刚才存储的数据时，保存下来的ECC代码就会和读数据时产生的ECC代码做比较。如果两个代码不相同，他们则会被解码，以确定数据中的那一位是不正确的。然后这一错误位会被抛弃，内存控制器则会释放出正确的数据。被纠正的数据很少会被放回内存。假如相同的错误数据再次被读出，则纠正过程再次被执行。重写数据会增加处理过程的开销，这样则会导致系统性能的明显降低。如果是随机事件而非内存的缺点产生的错误，则这一内存地址的错误数据会被再次写入的其他数据所取代。
　　使用ECC校验的内存，会对系统的性能造成不小的影响，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，带ECC校验的内存价格比普通内存要昂贵许多

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Posted: 2007-10-24 09:35 | [楼主]

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